क्रिस्टलीय चरण के प्रत्यक्ष संयोजन को सबसे बड़ी सीमा तक बनाने के लिए, कच्चे माल में SiO2 की सामग्री यथासंभव कम होगी और सिंटरिंग तापमान जितना संभव हो उतना अधिक होगा। प्रत्यक्ष संयोजन डिग्री SiO2 सामग्री की कमी और sintering तापमान की वृद्धि के साथ बढ़ जाती है। आम तौर पर, SiO2 2% से कम है, और फायरिंग तापमान 1700-1800 डिग्री सेल्सियस है। प्रत्यक्ष बंधन का निर्माण एक विघटन वर्षा प्रक्रिया है। क्रोमियम सांद्रता के ठीक पाउडर की सामग्री में वृद्धि सीधे बंधन मैग्नीशियम क्रोमियम ईंट के गठन के लिए अनुकूल है। सिलिकेट की उपस्थिति में, पेरिक्लेज़ और पेरिक्लेज़ के बीच बंधन सामग्री को Cr2O3 द्वारा मजबूत किया जाता है और Al2O3 और Fe2O3 द्वारा कम किया जाता है। सीधे बंधुआ मैग्नेशिया क्रोम ईंट में Al2O3 या Fe2O3 जोड़ने से सिलिकेट पिघलने बिंदु को कम किया जा सकता है, और Cr2O3 जोड़ने से पिघलने बिंदु में सुधार हो सकता है। इसलिए, उच्च Cr2O3 सामग्री वाले क्रोम अयस्क में कम Cr2O3 सामग्री वाले क्रोम अयस्क की तुलना में उच्च तापमान की ताकत अधिक होती है। Cr2O3 सामग्री जितनी अधिक होगी, क्रिस्टल में और उनके बीच उतना ही अधिक स्पाइनल होगा, उत्पाद की ताकत उतनी ही अधिक होगी और स्लैग प्रतिरोध उतना ही मजबूत होगा।
